Lot de 5 transistors MOSFET IRF540N 100V 33A 130W TO-220
Marque : satkit
TVA incluse (HT : 1,40€)
Le lot de 5pcs IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 est un ensemble de transistors MOSFET à canal N conçus pour des applications électroniques nécessitant un haut rendement et une capacité de gestion du courant et de la tension.
Caractéristiques principales :
- Catégorie : N-Canal MOSFET
- Voltaje máximo: 100V
- Corriente máxima: 33A
- Resistencia interna (Rds(on)): 44mΩ
- Voltaje de la puerta: 20V
- Tiempo de conmutación: 35ns (ascenso y descenso)
- Disipación de potencia: 130W
- Encapsulado: TO-220
- Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C
Usages typiques :
- Contrôle de moteurs électriques dans des projets DIY et professionnels.
- Amplificateurs de puissance et alimentations à découpage.
- Interrupteurs électroniques pour charges à fort courant.
- Applications en robotique et systèmes embarqués nécessitant un haut rendement.
Compatibilité : Ce transistor est compatible avec les circuits fonctionnant dans ses spécifications électriques, en particulier pour les projets nécessitant un MOSFET à canal N avec une forte capacité de courant et de tension.
Ce lot de 5 unités permet d’avoir des pièces de rechange ou de mettre en œuvre plusieurs circuits simultanément, en garantissant des performances fiables et durables grâce à son boîtier TO-220 qui facilite la dissipation thermique.
- Lot de 5 transistors MOSFET IRF540N à canal N
- Tension maximale de 100V pour les applications exigeantes
- Courant maximal de 33A pour les charges élevées
- Faible résistance interne de 44mΩ pour plus d’efficacité
- Dissipation de puissance de 130W pour un usage prolongé
- Boîtier TO-220 pour une meilleure dissipation thermique
- Temps de commutation rapide de 35ns
- Température de fonctionnement de -55°C à 175°C
Questions & Réponses des clients
Quelles précautions d’installation faut-il prendre pour éviter les dommages dus à la surchauffe ou à la surintensité sur l’IRF540N ?
Pour éviter tout dommage, il est essentiel d’assurer une bonne dissipation thermique en utilisant un dissipateur adapté si la dissipation dépasse 2 W, et de respecter les limites : 100 V max drain-source, 33 A en continu et 130 W de puissance. Il faut également éviter les pics dépassant la tension de grille de 20 V et protéger le composant contre les décharges électrostatiques avant l’installation.
Avec quels types de signaux de commande et de circuits logiques la grille de l’IRF540N est-elle compatible ?
L’IRF540N nécessite généralement une tension de grille d’au moins 10 V pour une conduction efficace, bien qu’il puisse commencer à s’activer dès 2 à 4 V (Vgs(th)). Il fonctionne bien avec des drivers MOSFET ou des circuits logiques avec étage d’adaptation ; il n’est pas recommandé de le connecter directement à des microcontrôleurs 3,3 V sans driver intermédiaire.
Quel type de protection ou quelles normes de sécurité l’installation de ces MOSFET doit-elle respecter dans les systèmes industriels ?
Dans les systèmes industriels, l’installation doit prévoir une protection contre les surcharges (fusibles ou disjoncteurs), la suppression des transitoires (diodes flyback ou varistances) et le respect de normes telles que IEC 60950 (sécurité électrique) et ESD (protection contre les décharges électrostatiques) afin de garantir un fonctionnement sûr et la durabilité du composant.
À quoi sert le transistor MOSFET IRF540N ?
L’IRF540N est un transistor MOSFET à canal N utilisé pour contrôler des charges électriques à fort courant et tension dans des circuits électroniques, comme les moteurs, les amplificateurs et les alimentations.
Combien d’unités comprend ce lot ?
Ce lot comprend 5 unités du transistor MOSFET IRF540N.
Quel est le boîtier de l’IRF540N ?
L’IRF540N est fourni en boîtier TO-220, ce qui facilite la dissipation thermique et son montage dans les circuits.
Quelle tension et quel courant maximum ce transistor supporte-t-il ?
Le transistor supporte une tension maximale de 100V et un courant maximal de 33A.
Convient-il aux projets nécessitant une forte dissipation de puissance ?
Oui, ce transistor a une dissipation de puissance maximale de 130W, idéale pour les applications nécessitant une gestion de puissance élevée.